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改進的測量硅片亞表面損傷的角度拋光方法
發布日期:2015-04-12 20:05:57

提出了一種改進的角度拋光方法來測量硅片的亞表面損傷.其原理是:經過研磨和化學機械拋光后,起保護作用的陪片靠近膠黏劑的一端形成一個無損傷的、完整的劈尖,劈尖的棱邊作為測量亞表面損傷的基準;角度拋光的傾斜角可通過劈尖上面產生的干涉條紋準確地測量得到.采用這種方法可以方便、準確地測量硅片由切割、研磨和磨削引起的亞表面損傷,其能夠測量的最小損傷深度為幾百納米

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